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国产5G通信基站芯片通过认证

  • 来源:大公报
  • 发布日期:2018-12-14
  • 浏览数:509

  图:在2018中国国际应用科技交易博览会上GaN功率放大器芯片对外亮相\大公报记者方俊明摄

  【大公报讯】记者方俊明广州报道:随着国内外电信运营5G服务纷纷铺开,5G角逐不断加速。10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。

  拟明年推出 打破国外垄断

  据透露,由中国科学院精英等高端人才组成的本创微电子团队,历经3年技术攻关,拥有工艺结构、封装结构多项专利,已完成多款关键GaN功率放大器芯片设计,并已获中电集团客户认证成功。5G-Sub6G基站所需的GaN芯片产品计劃明年推出,将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。有业内专家指出,未来最大数据率料达每秒10Gbit,不仅人们之间相互快速通信,汽车、设备乃至生产机器人都将加入到网络中,届时物联网(IOT)、工业4.0或无人驾驶汽车都可实现“实时无线电通信”,不仅可靠而且可望更加廉价。

  GaN是第三代半导体的代表材料,採用GaN的微波射频器件目前主要用於军事领域及4G/5G通讯基站应用场景。出於军事安全的考量,国外就高性能的“氮化镓”器件实行对华禁运。因此,发展自主GaN射频功放产业,对於打破国外垄断具有重要的意义。中国发明成果转化研究院有关负责人表示,在5G时代下,GaN将在无线通信和国防领域大展拳脚,以其功率/效率水平和高频性能,在高性能无线解决方案中发挥关键作用。